型号:SI4511DY-T1-GE3 | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Vishay Siliconix |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC |
系列 | TrenchFET® |
制造商 | Vishay Siliconix |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 7.2A,4.6A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 14.5 毫欧 @ 9.6A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 1.8V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 18nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | 1.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
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